9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI1063-A-GM，该产品在9icnet现场销售，可通过原始工厂和代理商等渠道购买。SI1063-A-GM参考价格为5.36000美元。Silicon Labs SI1063-A-GM封装/规格：IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN。您可以下载SI1063-A-GM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI1063-A-GM价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI1062X-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V SC-89，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001058盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SC-89、SOT-490包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-89-3，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为220mW，晶体管类型为1个N通道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为43pF@10V，FET特性为标准，Rds On Max Id Vgs为420 mOhm@500mA，4.5V，Vgs th Max Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为2.7nC@8V，Pd功耗为220 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为11纳秒，上升时间为14纳秒，Vgs栅极-源极电压为8伏，Id连续漏极电流为500毫安，Vds漏极-源极击穿电压为20伏，Vgs第栅极-源极端电压为0.4伏至1伏，Rds漏极源极电阻为350毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为2ns，Qg栅极电荷为1NC，正向跨导最小值为7.5S，信道模式为增强。
SI1062-A-GM是IC RF TXRX+MCU ISM，包括1.8 V~3.6 V电压供应，它们设计用于92600 mg单位重量，类型如数据表注释所示，用于TXRX+MCU，提供1.8 V等最小供应电压功能，最大供应电压设计用于3.6 V，以及SI1062系列，该设备还可以用作I2C、SPI、UART串行接口。此外，灵敏度为-126dBm，该设备在通用ISM RF系列标准中提供，该设备具有程序存储器类型的闪存，程序存储器大小为64kB，处理器系列为Si106x，功率输出为13dBm，包装为托盘，包装箱为36-WFQFN暴露垫，其工作温度范围为-40°C~85°C，工作电源电压为2.4 V，工作频率为142 MHz至1050 MHz，定时器数量为4个定时器，I/O数量为11个I/O，ADC通道数量为1，安装方式为SMD/SMT，调制方式为4FSK、4GFSK、FSK、GFSK、OOK，最小工作温度范围为-40 C，内存大小为64kB闪存4kB RAM，它的最大工作温度范围为+85 C，最大时钟频率为25 MHz，接口类型为I2C SPI，GPIO为15，频率为142MHz~1.05GHz，数据速率最大为1Mbps，数据RAM类型为RAM，数据RAM大小为4kB，数据总线宽度为8位，电流发射为18mA~29mA，电流接收为10.7mA~13.7mA，核心为8051，ADC分辨率为10位。
SI1062-A-GMR带有电路图，包括10.7mA~13.7mA电流接收，设计用于18mA~29mA电流传输，数据总线宽度如数据表注释所示，用于8位，提供1Mbps等数据速率最大特性，频率设计用于142MHz~1.05GHz，以及15个GPIO，该设备还可以用作64kB闪存4kB RAM内存大小。此外，调制为4FSK、4GFSK、FSK、GFSK、OOK，其工作温度范围为-40°C~85°C，该设备具有36-WFQFN封装盒裸露垫，封装为磁带和卷轴（TR），功率输出为13dBm，RF系列标准为通用ISM，灵敏度为-126dBm，串行接口为I2C、SPI、UART，系列为Si1062，类型为TxRx+MCU，电源电压为1.8V~3.6V。
