9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的ATSAMR21E9A-MFT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ATSAMR21E9A-MFT参考价格$8.70000。Microchip Technology ATSAMR21E9A-MFT封装/规格：IC RF TXRX+MCU ISM>1GHZ 32VFQFN。您可以下载ATSAMR21E9A-MFT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ATSAMR21E18A-MFT是IC RF TXRX+MCU ISM>1GHZ 32-VFQFN，包括SMART？SAM R21系列，它们设计为与TxRx+MCU类型一起工作，数据表注释中显示了用于Digi-ReelR替代封装的封装，该封装提供了32-VFQFN暴露焊盘等封装外壳功能，频率设计为2.4GHz，工作温度范围为-40°C~125°C，该设备也可以用作-99dBm灵敏度。此外，电压供应为1.8 V~3.6 V，设备提供256kB闪存，32kB SRAM内存大小，设备最大数据速率为250kbps，串行接口为I2C、SPI、UART、USART、USB，功率输出为4dBm，电流接收为11.3mA~11.8mA，RF系列标准为通用ISM>1GHZ，调制为O-QPSK，GPIO为16，电流传输为7.2mA～13.8mA。
ATSAMR21E18A-MU是IC RF TXRX+MCU ISM>1GHZ 32-VFQFN，包括1.8 V ~ 3.6 V电源，它们设计为与TXRX+MCU类型一起工作，数据表注释中显示了用于SMART？SAM R21提供I2C、SPI、UART、USART、USB等串行接口功能，灵敏度设计为-99dBm，以及通用ISM>1GHZ RF系列标准，该设备也可以用作4dBm功率输出。此外，该封装为托盘交替封装，该设备采用32-VFQFN外露衬垫封装盒，其工作温度范围为-40°C~85°C，调制为O-QPSK，内存大小为256kB闪存，32kB SRAM，GPIO为16，频率为2.4GHz，数据速率最大值为250kbps，电流传输为7.2mA~13.8mA，电流接收为11.3mA～11.8mA。
ATSAMR21E18A-MUT是IC RF TXRX+MCU ISM>1GHZ 32-VFQFN，包括11.3mA ~ 11.8mA电流接收，它们设计用于7.2mA ~ 13.8mA电流传输，数据速率最大值显示在数据表注释中，用于250kbps，提供2.4GHz等频率特性，GPIO设计用于16，以及768kB闪存、32kB SRAM内存大小，该设备也可以用作O-QPSK调制，其工作温度范围为-40°C~125°C，该设备采用*替代包装包装，该设备的功率输出为4dBm，RF系列标准为通用ISM>1GHZ，灵敏度为-99dBm，串行接口为I2C、SPI、UART、USART、USB，系列为ATSAMR21，类型为TxRx+MCU，电源电压为2.35V～3.6V。
ATSAMR21E18A-MFTA7是IC MCU 32BIT 256KB FLASH 32VQFN，包括TxRx+MCU类型，它们设计用于O-QPSK调制，数据表说明中显示了用于I2C、SPI、UART的串行接口，提供RF系列标准功能，如通用ISM>1GHZ，系列设计用于ATSAMR21，以及-99dBm灵敏度，该装置还可用于7.2mA～13.8mA电流传输。此外，功率输出为4dBm，工作温度范围为-40°C~85°C，设备具有256kB闪存、32kB SRAM内存大小，数据速率最大值为250kbps，频率为2.4GHz，GPIO为16，电流接收为11.3mA~11.8mA，电压供应为1.8V~3.6V，封装为*交替封装。
