9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI1024-B-GM3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1024-B-GM3参考价格为10.74000美元。Silicon Labs SI1024-B-GM3封装/规格：IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA。您可以下载SI1024-B-GM3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si1023X-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si1023X-GE3的零件别名，该Si1023X/GE3提供单位重量功能，例如0.000289盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该装置也可以用作SOT-563、SOT-666包装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为SC-89-6，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为250mW，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，25°C时电流连续漏极Id为370mA，最大Id Vgs的Rds为1.2 Ohm@350mA，4.5V，Vgs最大Id为450mV@250μA（最小），栅极电荷Qg Vgs为1.5nC@4.5V，Pd功耗为280mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为6V，Id连续漏极电流为370mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds漏极源极电阻为2.7欧姆，晶体管极性为P沟道，沟道模式为增强。
SI1024-868-A-SDK是套件软件DEV SI1024 868MHZ，包括ISM型收发器，它们设计用于使用SI1024工具进行评估。提供的内容如数据表注释所示，用于4个卡、2个天线、适配器、电池、电缆、电源、软件，提供SI1024等系列功能，射频频率设计用于868MHZ，以及开发套件产品，该设备也可以用作散装包装。此外，接口类型为USB，该设备的频率为868MHz，该设备具有Si1024，用于相关产品，用于Si1024，描述功能为868MMHz软件开发套件，核心为8051。
SI1024-868-A-DK是KIT DEV WIRELESS SI1024 868MHZ，包括8051内核，它们设计用于868MHZ无线开发套件描述功能，与相关产品一起使用如数据表注释所示，用于SI1024，提供868MHZ等频率功能，接口类型设计用于USB，以及开发套件产品，该设备也可以用作868MHz RF频率。此外，该系列为Si1024，该设备有4个板、4个卡、2个天线、适配器、电池、电缆、电源、软件提供的内容，该设备具有Si1024工具评估，类型为收发器、ISM。
