9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI1030-B-GM3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1030-B-GM3参考价格为10.74000美元。Silicon Labs SI1030-B-GM3封装/规格：IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA。您可以下载SI1030-B-GM3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1028X-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V SC89-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷盘（TR）封装，数据表说明中显示了SOT-563、SOT-666中使用的封装盒，该封装盒提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作2信道数信道。此外，供应商设备包为SC-89-6，该设备为2 N通道（双）FET型，该设备最大功率为220mW，晶体管类型为2 N信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为16pF@15V，FET特性为逻辑电平门，Rds On Max Id Vgs为650 mOhm@500mA，10V，Vgs th Max Id为2.5V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为2nC@10V，晶体管极性为N沟道。
SI1029X-T1-E3是MOSFET N/P-CH 60V SOT563F，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与SC-89-6供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如1.4 Ohm@500mA，10V，Power Max设计为工作在250mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可用作SOT-563、SOT-666封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有30pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为0.75nC@4.5V，FET类型为N和P通道，FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为60V，25°C的电流连续漏电流Id为305mA、190mA。
SI1029X-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A 6引脚SC-89 T/R。SI1029X-T1采用SOT363封装，是FET阵列的一部分，支持Trans-MOSFET N/P-CH 60V 0.305A 6引脚SC-89 T/R。
