特色
- 正低压控制:0和3.3 V
- 低插入损耗:0.45 dB@2.5 GHz和0.60 dB@6.0 GHz
- 卓越的线性性能:P1dB=+31 dBm
- 高级pHEMT工艺
- 超薄微型QFN(6针,1.5 x 1.5 x 0.45 mm)封装(MSL1,260°C,符合JEDEC J-STD-020)
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.98068 | 0.98068 |
500+ | 0.96185 | 480.92850 |
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