9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI1023-A-GMR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1023-A-GMR参考价格为5.114409美元。Silicon Labs SI1023-A-GMR封装/规格：IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA。您可以下载SI1023-A-GMR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si1022R-T1-GE3是MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si1022R-GE3的零件别名，该Si1022R/GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET以及SC-75A封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-75A，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为250mW，晶体管类型为1个N通道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为30pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为330mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为1.25 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为0.6nC@4.5V，Pd功耗为250mW，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为330 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为1.25欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
SI1023-A-GM是IC RF TXRX+MCU ISM，包括1.8 V ~ 3.8 V电源，它们设计为与TXRX+MCU类型一起工作，数据表注释中显示了用于I2C、SPI、UART的串行接口，提供了-121dBm等灵敏度特性，RF系列标准设计为在通用ISM以及EZRadioPro协议中工作，该设备也可以用作20dBm（最大）功率输出。此外，包装为托盘，该设备采用85-VFLGA外露衬垫包装盒，其工作温度范围为-40°C~85°C，调制方式为FSK、GFSK、OOK，内存大小为16kB闪存、4.4kB RAM，GPIO为53，频率为240MHz~960MHz，数据速率最大值为256kbps，电流发射为85mA，电流接收为18.5mA。
SI1022R-TI-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI1022R-TI-E3采用SC-75A封装，是IC芯片的一部分。
