特色
- 低插入损耗:0.55 dB@2.45 GHz
- 1.8 V操作,1.8 V电压上拉
- 定时敏感应用的低门延迟
- 260°C回流兼容
- 无卤“绿色”模塑料
- 无铅2 mm 8引线PDFN封装
- 0.5微米GaAs pHEMT工艺
- 高P1dB:35 dBm@2.6 V
- 伊斯兰主义
- 无线网络和通信
应用
- 最小频率:0 MHz
- 最大频率:3000 MHz
- 插入损耗:0.5 dB
- 隔离:22 dB
- IIP3:54 dBm
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 12.60264 | 12.60264 |
10+ | 11.32789 | 113.27896 |
25+ | 10.68472 | 267.11815 |
100+ | 9.10215 | 910.21520 |
250+ | 8.54662 | 2136.65550 |
500+ | 7.47829 | 3739.14700 |
1000+ | 6.40996 | 6409.96700 |
3000+ | 6.40996 | 19229.90100 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
MACOM为数据中心、电信、工业和国防应用设计和制造半导体产品。MACOM总部位于马萨诸塞州洛厄尔,在北美、欧洲和亚洲设有设计中心和销售办事处。MACOM通过了ISO9001国际质量标准和ISO1400...