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Si1035X-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V SC-89，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si1035X-GE3的部件别名，该Si1035X-GE3提供单位重量功能，例如0.001129盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该设备也可以用作SOT-563，SOT-666包装箱。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，信道数为2信道，供应商设备包为SC-89-6，配置为1 N信道1 P信道，FET类型为N和P信道，功率最大值为250mW，晶体管类型为1 N通道1 P信道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为180mA、145mA，最大Id Vgs的Rds为5 Ohm@200mA、4.5V，Vgs最大Id为400mV@250μA（最小），栅极电荷Qg Vgs为0.75nC@4.5V，Pd功耗为250 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为5 V，Id连续漏极电流为180 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为8欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，沟道模式为增强型。
SI1035X-T1-E3是MOSFET N/P-CH 20V SOT563F，包括400mV@250μA（Min）Vgs th Max Id，它们设计为与SC-89-6供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如5 Ohm@200mA，4.5V，功率最大设计为250mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可用作SOT-563、SOT-666封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有0.75nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为180mA，145毫安。
SI1036-A-GM是IC RF TXRX+MCU ISM，包括18.5mA电流接收，它们设计用于17mA ~ 30mA电流传输，数据速率最大值显示在数据表注释中，用于256kbps，提供240MHz ~ 960MHz等频率特性，GPIO设计用于53，以及32kB闪存、8.5kB RAM内存大小，该设备还可以用作FSK、GFSK、，OOK调制，其工作温度范围为-40°C~85°C，该设备采用85-VFLGA暴露焊盘封装盒，该设备具有封装托盘，功率输出为13dBm（最大值），协议为EZRadioPro，RF系列标准为通用ISM，灵敏度为-121dBm，串行接口为I2C、SPI、UART，类型为TxRx+MCU，电源电压为1.8V~3.8V。
