BGS13PN10E6327XTSA1是一款单极三掷（SP3T）高线性、高功率RF开关，针对高达6.0 GHz的移动电话应用进行了优化。该单电源芯片集成了由两个简单的CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动的片上CMOS逻辑。与GaAs技术不同，0.1dB的压缩点超过了开关的最大输入功率电平，从而在所有信号电平下都具有线性性能，只有在外部施加直流电压时，才需要RF端口的外部直流阻断电容器。
BGS13PN10E6327XTSA1支持UL（B1+B3）、（B2+B4）、DL-CA（B4+B12）和SV-LTE（B5+B13）的关键频带组合。该设备可处理高达38dBm的非常高的发射信号电平，同时显示出低损耗以节省电池电量。超高线性器件对系统灵敏度有重大影响。例如，整个RF前端的线性度增加3dBm，信噪比提高6dB。因此，数据速率速度提高了高达40%，允许例如从20Mbps（QAM16 4/5）到33Mbps（QAM64 4/5）的步长。BGS13PN10E6327XTSA1代表所有频率的最佳ISO和IL性能。
特色
- 高最大RF功率：38 dBm
- 三个超低损耗端口：
- 0.19 dB@f=0.9 GHz，PIN=38dBm
- 0.24 dB@f=1.9 GHz，PIN=38dBm
- 0.26 dB@f=2.7 GHz，PIN=33dBm
- 1.06 dB@f=3.6 GHz，PIN=33dBm
- 1.62 dB@f=5.5 GHz，PIN=33dBm
- 如果RF端口上没有施加外部DC，则不需要DC去耦组件
- 高ESD鲁棒性
- 低谐波产生
- 无需电源阻塞
- 电源电压范围：1.8至3.6V
- 电源电压范围内无插入损耗变化
- 电源电压范围内无线性变化
- 适用于EDGE/C2K/LTE/WDMA/SV-LTE应用
- 0.5至6.0 GHz覆盖范围
- 小尺寸1.1 mm x 1.5 mm
- 400µm焊盘间距
- 符合RoHS和WEEE标准的包装
应用
- 适用于EDGE/C2K/LTE/WDMA/SV-LTE
- 移动蜂窝Rx/Tx应用
针对主路径和整个RF前端进行了优化，在移动通信中没有任何功率限制：- DL/UL CA和MIMO
- HPUE 26dBm设备（高功率Tx）
- 微型/微微蜂窝/蜂窝基站
- 测试设备
