BGSX22G2A10E6327XTSA1 RF MOS开关专为LTE和WCDMA三天线应用而设计。这种DPDT提供低插入损耗和低谐波生成，并与RF端口之间的高隔离相匹配。开关通过GPIO接口控制。片上控制器允许电源电压从2.3V到3.4V。该开关具有直接连接电池功能和无直流射频端口。与GaAs技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要RF端口处的外部直流阻断电容器。
BGSX22G2A10E6327XTSA1射频开关采用英飞凌的专利MOS技术制造，具有GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性，包括固有的更高ESD鲁棒性。
该装置的尺寸非常小，仅为1.15 x 1.55mm2，最大厚度为0.6mm。
特色
- RF CMOS DPDT天线交叉开关，功率处理能力高达36.5 dBm
- 超低插入损耗和谐波产生
- 0.1至6.0 GHz覆盖范围
- 高端口到端口隔离
- 如果射频线路上没有直流电，则不需要去耦电容器
- 通用输入输出（GPIO）接口
- 小尺寸1.15mm x 1.55mm2
- 无需电源阻塞
- 高EMI鲁棒性
- 符合RoHS和WEEE标准的包装
应用
潜在应用
BGSX22GN10 RF MOS开关专为双天线应用而设计。
