用于载波聚合的DP8T分集交叉交换机
BGSX28MA18E6327XTSA1射频CMOS开关专为LTE载波聚合应用而设计。该DP8T提供低插入损耗和低谐波产生。此外，单端口具有跨功能性，为载波聚合应用提供了更高的灵活性。
该开关通过MIPI RFFE控制器进行控制。片上控制器允许1.1至1.95 V的电源电压。该开关具有直接连接电池功能和无直流射频端口的特点。与GaAs技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要RF端口处的外部直流阻断电容器。BGSX28MA18E6327XTSA1射频开关采用英飞凌的专利MOS技术制造，具有GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性，包括固有的更高ESD鲁棒性。该装置的尺寸非常小，仅为2.0 x 2.4 mm2，最大厚度为0.6 mm。
特色
- 业界首个通过一个端口的跨交换机功能实现的灵活载波聚合交换机
- RF CMOS DP8T分集开关，功率处理能力高达27 dBm
- 通过交叉开关功能实现的设备配置SP4T/SP4T和SP5T/SP3T
- 适用于LTE载波聚合应用
- 超低插入损耗和谐波产生
- 0.1至3.8 GHz覆盖范围
- 高端口到端口隔离
- 如果射频线路上没有直流电，则不需要去耦电容器
- 集成MIPI RFFE接口，工作电压范围为1.1至1.95V
- 软件可编程MIPI RFFE USID
- 无引线和无卤素封装ATSLP-18，横向尺寸为
- 2.0mm x 2.4mm，厚度0.6mm
- 无需电源阻塞
- 高EMI鲁棒性
- 符合RoHS和WEEE标准的包装
应用
潜在应用
射频CMOS开关专为LTE载波聚合应用而设计
