9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI1026-B-GM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1026-B-GM参考价格$8.02000。Silicon Labs SI1026-B-GM封装/规格：IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA。您可以下载SI1026-B-GM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si1025X-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si1025X-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.001129盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该装置也可以用作SOT-563、SOT-666包装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商设备包为SC-89-6，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为250mW，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为23pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为190mA，最大Id Vgs上的Rds为4 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.7nC@15V，Pd功耗为250 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为190 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极电阻为8欧姆，晶体管极性为P沟道，沟道模式为增强型。
SI1026-A-GMR是IC RF TXRX+MCU ISM，包括1.8 V ~ 3.8 V电源，它们设计为与TXRX+MCU类型一起工作，数据表注释中显示了用于I2C、SPI、UART的串行接口，提供了-121dBm等灵敏度特性，RF系列标准设计为在通用ISM以及EZRadioPro协议中工作，该设备也可以用作13dBm（最大）功率输出。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备采用85-VFLGA外露衬垫包装盒，其工作温度范围为-40°C~85°C，调制方式为FSK、GFSK、OOK，内存大小为32kB闪存、8.5kB RAM、GPIO为53，频率为240MHz~960MHz，数据速率最大为256kbps，电流传输为17mA~30mA，电流接收为18.5mA。
SI1026-A-GM是IC RF TXRX+MCU ISM，包括18.5mA电流接收，它们设计用于17mA ~ 30mA电流传输，数据速率最大值显示在数据表注释中，用于256kbps，提供240MHz ~ 960MHz等频率特性，GPIO设计用于53，以及32kB闪存、8.5kB RAM内存大小，该设备还可以用作FSK、GFSK、，OOK调制，其工作温度范围为-40°C~85°C，该设备采用85-VFLGA暴露焊盘封装盒，该设备具有封装托盘，功率输出为13dBm（最大值），协议为EZRadioPro，RF系列标准为通用ISM，灵敏度为-121dBm，串行接口为I2C、SPI、UART，类型为TxRx+MCU，电源电压为1.8V~3.8V。
