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HMC1118LP3DE

  • 描述:RF类型: VSAT 拓扑结构: 吸收的 集成电路: 继电器 频率的范围: 9千赫兹~13GHz 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 16-LFCSP-WQ(3x3)
  • 品牌: 模拟器件公司 (Analog)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 111.61308 111.61308
10+ 101.00948 1010.09483
25+ 93.03360 2325.84005
100+ 87.71876 8771.87620
  • 库存: 9139
  • 单价: ¥111.61309
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥111.61
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规格参数

  • 制造厂商 模拟器件公司 (Analog)
  • 部件状态 可供货
  • 集成电路 继电器
  • 特点 -
  • 阻抗值 50欧姆
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度
  • IIP3值 62分贝m
  • 拓扑结构 吸收的
  • RF类型 VSAT
  • 隔离 50分贝
  • 插入损耗 2分贝
  • 1dB压缩点 37分贝m
  • 包装/外壳 16-VFQFN外露焊盘,CSP
  • 频率的范围 9千赫兹~13GHz
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 供应商设备包装 16-LFCSP-WQ(3x3)
  • 试验频率 3GHz, 13GHz

HMC1118LP3DE 产品详情

射频开关电路,模拟器件

来自Analog Devices的各种射频开关电路。该系列具有低损耗宽带、正控制转换开关和宽带非反射GaAs MESFET多路开关。

特色

  • 非反射50Ω设计
  • 阳性对照:0 V/3.3 V
  • 低插入损耗:8.0 GHz时0.68 dB
  • 高隔离:8.0 GHz时48 dB
  • 高功率处理:
    • 35 dBm通过路径
    • 27 dBm终止路径
  • 高线性:
    • 1 dB压缩(P1dB):典型值为37 dBm
    • 输入三阶截距(IIP3):典型值为62 dBm
  • ESD等级:2kV人体模型(HBM)
  • 3 x 3 mm,16引线LFCSP封装
  • 无低频杂散
  • 沉降时间(最终RFOUT的0.05 dB裕度):7.5μs

应用

  • 测试仪器仪表
  • 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
  • 军用无线电、雷达和电子对抗措施(ECM)
  • 光纤和宽带电信


(图片:引出线)


HMC1118LP3DE所属分类:射频开关,HMC1118LP3DE 由 模拟器件公司 (Analog) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HMC1118LP3DE价格参考¥111.613089,你可以下载 HMC1118LP3DE中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HMC1118LP3DE规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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