来自Analog Devices的各种射频开关电路。该系列具有低损耗宽带、正控制转换开关和宽带非反射GaAs MESFET多路开关。
特色
- 非反射50Ω设计
- 阳性对照:0 V/3.3 V
- 低插入损耗:8.0 GHz时0.68 dB
- 高隔离:8.0 GHz时48 dB
- 高功率处理:
- 35 dBm通过路径
- 27 dBm终止路径
- 高线性:
- 1 dB压缩(P1dB):典型值为37 dBm
- 输入三阶截距(IIP3):典型值为62 dBm
- ESD等级:2kV人体模型(HBM)
- 3 x 3 mm,16引线LFCSP封装
- 无低频杂散
- 沉降时间(最终RFOUT的0.05 dB裕度):7.5μs
应用
- 测试仪器仪表
- 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
- 军用无线电、雷达和电子对抗措施(ECM)
- 光纤和宽带电信
(图片:引出线)