9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI1022-B-GM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1022-B-GM参考价格为8.30000美元。Silicon Labs SI1022-B-GM封装/规格：IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA。您可以下载SI1022-B-GM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI1022-B-GM价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI1021R-T1-GE3是MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。SI1021R-GE3提供SMD/SMT等安装方式功能，产品名称设计为在TrenchFET以及SC-75A封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-75A，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为250mW，晶体管类型为1个P通道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为23pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为190mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为4 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为1.7nC@15V，Pd功耗为250mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为190 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极电阻为8欧姆，晶体管极性为P沟道，沟道模式为增强型。
SI1022-A-GMR是IC RF TXRX+MCU ISM，包括1.8 V ~ 3.8 V电源，它们设计为与TXRX+MCU类型一起工作，数据表注释中显示了用于I2C、SPI、UART的串行接口，提供了-121dBm等灵敏度特性，RF系列标准设计为在通用ISM以及EZRadioPro协议中工作，该设备也可以用作20dBm（最大）功率输出。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备采用85-VFLGA外露衬垫包装盒，其工作温度范围为-40°C~85°C，调制方式为FSK、GFSK、OOK，内存大小为32kB闪存，8.5kB RAM，GPIO为53，频率为240MHz~960MHz，数据速率最大为256kbps，电流发射为85mA，电流接收为18.5mA。
SI1022-A-GM是IC RF TXRX+MCU ISM，包括18.5mA电流接收，它们设计用于85mA电流传输，数据表说明中显示了256kbps的最大数据速率，提供240MHz~960MHz等频率特性，GPIO设计用于53，以及32kB闪存、8.5kB RAM内存大小，该设备还可以用作FSK、GFSK、OOK调制、，它的工作温度范围为-40°C~85°C，该设备采用85-VFLGA外露衬垫封装盒，该设备具有封装托盘，功率输出为20dBm（最大值），协议为EZRadioPro，RF系列标准为通用ISM，灵敏度为-121dBm，串行接口为I2C、SPI、UART，类型为TxRx+MCU，电压供应为1.8V~3.8V。
