9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI1014-A-GM,该产品在9icnet现场销售,可以通过原始工厂和代理商等渠道购买。SI1014-A-GM参考价格为62.6542美元。Silicon Labs SI1014-A-GM封装/规格:IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN。您可以下载SI1014-A-GM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如SI1014-A-GM价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
SI1013X-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3,包括TrenchFETR系列,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。SI1013X-GE3提供单位重量功能,如0.001058盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及SC-89、SOT-490封装盒,该器件也可以用作硅技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件为表面安装安装型,该器件具有1个通道数,供应商器件封装为SC-89-3,配置为单,FET类型为MOSFET P通道,金属氧化物,功率最大为250mW,晶体管类型为1个P通道,漏极到源极电压Vdss为20V,FET特性为标准,25°C时的电流连续漏极Id为350mA(Ta),最大Id Vgs的Rds为1.2 Ohm@350mA,4.5V,Vgs最大Id为450mV@250μA(Min),栅极电荷Qg Vgs为1.5nC@4.5V,Pd功耗为250mW,其最大工作温度范围为+150 C,它的最小工作温度范围为-55℃,下降时间为9纳秒,上升时间为9 ns,Vgs栅极-源极电压为6 V,Id连续漏极电流为350 mA,Vds漏极-源极击穿电压为-20 V,Rds漏极源极电阻为1.2欧姆,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为35 ns,并且典型的开启延迟时间是5ns,并且信道模式是增强。
SI-10141是CONN MAGJACK 1PORT 10 BASE-T,包括焊接终端,它们设计为以向下接线片方向操作。屏蔽显示在数据表注释中,用于屏蔽EMI手指,提供MagJackR ST SI-10000等系列功能。包装设计为散装工作,以及90°角(右)方向,该设备也可以用作1行数。此外,端口数量为1,每个插孔提供3个芯,设备具有安装类型的通孔,LED颜色为不含LED,功能为板锁,触点表面为金色,连接器类型为RJ45,应用为10 Base-T。
SI1013X-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3。SI1013X-T1-E3在SC-89、SOT-490封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3、P沟道20V 350MA(Ta)250mW(Ta)表面安装SC-89-3、Trans MOSFET P-CH20V 0.35A 3引脚SC-89 T/R。