9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI1020-B-GM2R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1020-B-GM2R参考价格为8.79000美元。Silicon Labs SI1020-B-GM2R封装/规格：IC RF ADC MCU 10BIT TX。您可以下载SI1020-B/GM2R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1016X-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V SC89-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI1016X-GE3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.001129盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该装置也可以用作SOT-563、SOT-666包装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，信道数为2信道，供应商设备包为SC-89-6，配置为N信道P信道，FET类型为N和P信道，最大功率为250mW，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为485mA、370mA，最大Id Vgs的Rds为700mOhm@600mA、4.5V，Vgs的最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.75nC@4.5V，Pd功耗为250mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为6 V，Id连续漏极电流为600 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为410 mOhms 800 mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，沟道模式为增强型。
SI1020-915-A-DK是KIT DEV无线SI1020 915MHZ，包括ISM型收发器，设计用于使用SI1020工具进行评估。提供的内容如数据表注释所示，用于4个板、4个卡、2个天线、适配器、电池、电缆、电源、软件，提供SI1020等系列功能，射频频率设计用于915 MHz，该设备也可以用作USB接口类型。此外，频率为915MHz，该设备以Si1020提供，用于相关产品，该设备具有915MHz无线开发套件描述功能，核心为8051。
SI1020-915-A-SDK是套件软件DEV SI1020 915MHZ，包括8051内核，它们设计用于无线MCU描述功能，用于相关产品如SI1020中的数据表说明所示，SI1020提供915MHZ等频率特性，接口类型设计用于USB，以及开发套件产品，该设备也可以用作915MHz RF频率。此外，该系列为Si1020，该设备有4个卡、2个天线、适配器、电池、电缆、电源、软件提供的内容，该设备具有Si1020工具评估，类型为收发器、ISM。
