9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI1032-B-GM3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1032-B-GM3参考价格为9.10500美元。Silicon Labs SI1032-B-GM3封装/规格：IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA。您可以下载SI1032-B-GM3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1031X-T1-GE3是MOSFET 20V 150mA 340mW 8.0ohm@4.5V，包括卷筒包装，它们设计用于SI1031X-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001058盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SC-89-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有300 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为30纳秒，Vgs栅极-源极电压为6 V，Id连续漏极电流为155 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds漏极源极电阻为8欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为55ns，沟道模式为增强型。
SI1031X-T1，带有VISHAY制造的用户指南。SI1031X-T1采用SMD封装，是FET的一部分-单个。
SI1031X-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A。SI1031X-T1-E3采用SC-75A封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A，P信道20V 155mA（Ta）300mW（Ta）表面安装SC-75A。
