9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的ATSAMR21E18A-MFT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ATSAMR21E18A-MFT参考价格为7.30500美元。Microchip Technology ATSAMR21E18A-MFT封装/规格：IC RF TXRX+MCU ISM>1GHZ 32VQFN。您可以下载ATSAMR21E18A-MFT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ATSAMR21E17A-MUT是IC RF TXRX+MCU ISM>1GHZ 32-VFQFN，包括SMART？SAM R21系列，它们设计为与TxRx+MCU类型一起工作，数据表注释中显示了用于Digi-ReelR替代封装的封装，该封装提供了32-VFQFN暴露焊盘等封装外壳功能，频率设计为2.4GHz，工作温度范围为-40°C~85°C，该设备也可以用作-99dBm灵敏度。此外，电压供应为1.8 V~3.6 V，设备提供128kB闪存，16kB SRAM内存大小，设备最大数据速率为250kbps，串行接口为I2C、SPI、UART、USART、USB，功率输出为4dBm，电流接收为11.3mA~11.8mA，RF系列标准为通用ISM>1GHZ，调制为O-QPSK，GPIO为16，电流传输为7.2mA～13.8mA。
ATSAMR21E18A-MF是IC RF TXRX+MCU ISM>1GHZ 32-VFQFN，包括1.8 V ~ 3.6 V电源，它们设计用于TXRX+MCU类型，系列如数据表注释所示，用于SMART？SAM R21提供I2C、SPI、UART、USART、USB等串行接口功能，灵敏度设计为-99dBm，以及通用ISM>1GHZ RF系列标准，该设备也可以用作4dBm功率输出。此外，该封装为托盘交替封装，该设备采用32-VFQFN暴露式衬垫封装盒，其工作温度范围为-40°C~125°C，调制为O-QPSK，内存大小为256kB闪存、32kB SRAM，GPIO为16，频率为2.4GHz，数据速率最大值为250kbps，电流传输为7.2mA~13.8mA，电流接收为11.3mA～11.8mA。
ATSAMR21E17A-MU是IC RF TXRX+MCU ISM>1GHZ 32-VFQFN，包括11.3mA ~ 11.8mA电流接收，设计用于7.2mA ~ 13.8mA电流传输，数据表说明中显示了250kbps的最大数据速率，提供2.4GHz等频率特性，GPIO设计用于16，以及128kB闪存、16kB SRAM内存大小，该设备也可以用作O-QPSK调制，其工作温度范围为-40°C~85°C，该设备采用32-VFQFN裸露衬垫封装盒，该设备具有托盘交替封装，功率输出为4dBm，RF系列标准为通用ISM>1GHZ，灵敏度为-99dBm，串行接口为I2C、SPI、UART、USART、USB、，系列是SMART？SAM R21，类型为TxRx+MCU，电源电压为1.8V~3.6V。
