9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI1022-A-GM，该产品在9icnet现场销售，可通过原始工厂和代理商等渠道购买。SI1022-A-GM参考价格$8.1746。Silicon Labs SI1022-A-GM封装/规格：IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA。您可以下载SI1022-A-GM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1021R-T1-GE3是MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。SI1021R-GE3提供SMD/SMT等安装方式功能，产品名称设计为在TrenchFET以及SC-75A封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-75A，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为250mW，晶体管类型为1个P通道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为23pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为190mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为4 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为1.7nC@15V，Pd功耗为250mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为190 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极电阻为8欧姆，晶体管极性为P沟道，沟道模式为增强型。
SI1021R-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3引脚SC-75A T/R。SI1021R-T1在SOT323封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3引脚SC-75A T/R。
SI1021R-T1-E3是vishay制造的MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A。SI1021R-T1-E3以SC-75A封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A、P沟道60V 190MA（Ta）250mW（Ta）表面安装SC-75A。
