9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI1025-A-GM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1025-A-GM参考价格为7.000624美元。Silicon Labs SI1025-A-GM封装/规格：IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA。您可以下载SI1025-A-GM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1024X-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装一起工作。数据表注释中显示了SI1024X-GE3中使用的零件别名，该SI1024X-GE3提供单位重量功能，例如0.000289盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该装置也可以用作SOT-563、SOT-666包装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为SC-89-6，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为250mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET的特点是逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为485mA，最大Id Vgs的Rds为700mOhm@600mA，4.5V，Vgs的最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.75nC@4.5V，Pd功耗为250mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为6V，Id连续漏极电流为485mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds漏极源极电阻为700mOhm，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
SI1024X-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F，包括900mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与SC-89-6供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如700mOhm@600mA，4.5V，Power Max设计为250mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为SOT-563、SOT-666封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有0.75nC@4.5V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为485mA。
SI1024X-TI-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SI1024X-TI-GE3采用SOT-563封装，是IC芯片的一部分。
