9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI1026-A-GM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1026-A-GM参考价格为52.3112美元。Silicon Labs SI1026-A-GM封装/规格：IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA。您可以下载SI1026-A-GM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si1025X-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si1025X-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.001129盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该装置也可以用作SOT-563、SOT-666包装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商设备包为SC-89-6，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为250mW，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为23pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为190mA，最大Id Vgs上的Rds为4 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.7nC@15V，Pd功耗为250 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为190 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极电阻为8欧姆，晶体管极性为P沟道，沟道模式为增强型。
SI1025X-T1-E3是MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与SC-89-6供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如4 Ohm@500mA，10V，Power Max设计为工作在250mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作SOT-563、SOT-666封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有23pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为1.7nC@15V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，25°C的电流连续漏极Id为190mA。
SI1025X，带有VISHAY制造的电路图。SI1025X在SOT-563封装中提供，是FET阵列的一部分。
