9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI1027-A-GM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1027-A-GM参考价格为107.3673美元。Silicon Labs SI1027-A-GM封装/规格：IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA。您可以下载SI1027-A-GM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1026X-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SI1026X-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001129盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于SOT-563、SOT-666以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商设备包的SC-89-6，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为250mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为30pF@25V，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为305mA，最大Id Vgs的Rds为1.4 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.6nC@4.5V，Pd功耗为250mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为305mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极源极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
SI1026X-T1-E3是MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于SC-89-6供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于1.4 Ohm@500mA，10V，提供功率最大功能，如250mW，封装设计用于Digi ReelR，以及SOT-563、SOT-666封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供30pF@25V输入电容Cis Vds，该器件具有0.6nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，25°C电流连续漏极Id为305mA。
SI1026X-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6引脚SC-89 T/R。SI1026X-T1采用SOT363封装，是FET阵列的一部分，支持Trans-MOSFET N-CH 60V 0.305A 6引脚SC-89 T/R。
