9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI1035-A-GM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1035-A-GM参考价格为8.7226美元。Silicon Labs SI1035-A-GM封装/规格：IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA。您可以下载SI1035-A-GM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1034X-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI1034X-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.001129盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该装置也可以用作SOT-563、SOT-666包装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为SC-89-6，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为250mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET的特点是逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为180mA，最大Id Vgs的Rds为5 Ohm@200mA，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.75nC@4.5V，Pd功耗为250mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为25ns，Vgs栅极-源极电压为5V，Id连续漏极电流为380mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型导通延迟时间为50 ns，沟道模式为增强。
SI1034CX-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V SC89-6，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供TrenchFET等商标特性，技术设计用于Si，以及SC-89-6供应商设备包，该器件也可以用作TrenchFETR系列。此外，Rds On Max Id Vgs为396 mOhm@500mA，4.5V，该设备以220mW Power Max提供，该设备具有包装胶带和卷轴（TR），包装箱为SOT-563、SOT-666，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为43pF@10V，栅极电荷Qg Vgs为2nC@8V，FET类型为2N沟道（双），FET特征为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V。
SI1034X-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F，包括180mA电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表说明中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在0.75nC@4.5V下工作，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装外壳为SOT-563、SOT-666，器件采用Digi-ReelR封装，器件最大功率为250mW，Rds On Max Id Vgs为5 Ohm@200mA，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为SC-89-6，Vgs th Max Id为1.2V@250μa。
