9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI4060-C2A-GM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4060-C2A-GM参考价格为2.62000美元。Silicon Labs SI4060-C2A-GM封装/规格：RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN。您可以下载SI4060-C2A-GM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4056DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于SI4056DY GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及ThunderFET TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为5.7W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为900pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为11.1A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为23mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为2.8V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为29.5nC@10V，Pd功耗为5.7W，Id连续漏极电流为11.1A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.8V，Rds漏极-源极电阻为23mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为9.7nC。
SI4060-B1B-FMR是发射机RF EZRADIO PRO 20QFN，包括1.8 V~3.6 V电源，它们设计为在0.001515 oz单位重量下工作，类型如数据表注释所示，用于高性能低电流发射机，该发射机提供商品名功能，如EZRadioPRO，电源电压最小值设计为1.8 V，以及3.6 V电源电压最大值，该设备也可以用作EZRadioPROR系列。此外，功率输出为13dBm，该设备采用胶带和卷筒（TR）交替包装包装，该设备具有20-VFQFN封装外壳外露衬垫，其工作温度范围为-40°C~85°C，工作电源电压为3.3 V，工作电源电流为85 mA，工作频率为142 MHz至1050 MHz，NF噪声系数为-130 dBc/Hz，安装类型为SMD/SMT，最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+85℃，频率为142MHz~1.05GHz，最大数据速率为1Mbps，数据接口为PCB，表面贴装，电流传输为18mA，应用为通用，天线连接器为PCB，面贴装。
SI4060-B1B-FM带有电路图，包括PCB、表面贴装天线连接器，它们设计用于通用应用，电流传输如数据表注释所示，用于18mA，提供数据接口功能，如PCB、表面安装、数据速率最大值设计用于1Mbps，以及142MHz~1.05GHz频率，其工作温度范围为-40°C~85°C。此外，包装盒为20-VFQFN外露衬垫，该设备采用管式交替包装包装，该设备的功率输出为13dBm，系列为EZRadioPROR，商品名为EZRadioPRO，电压供应为1.8V~3.6V。
