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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
  • 德欧泰克半导体 (Diotec)
封装:
  • TO-252-3, DPak
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描述
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DI015N25D1
DI015N25D1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 140W(Tc) 供应商设备包装: TO-252-3,DPak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) PDF数据手册

¥23.33662

2500

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合计: ¥233.36620

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DI015N25D1 规格参数
属性 参数值
长(英寸) -
部件状态 可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别 表面安装
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
漏源电压标 (Vdss) 250伏
包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
漏源电流 (Id) @ 温度 15A(Tc)
最大功耗 140W(Tc)
制造厂商 德欧泰克半导体 (Diotec)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.9 nC @ 10 V
供应商设备包装 TO-252-3,DPak
导通电阻 Rds(ON) 255毫欧姆@15A,10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 475 pF @ 125 V
色彩/颜色 蓝色
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