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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
  • 德欧泰克半导体 (Diotec)
封装:
  • 8-QFN (5x6)
  • 8-PowerTDFN
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品牌型号
描述
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DI080N03PQ
DI080N03PQ
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: 8-QFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册

¥9.33849

5000

5-7 工作日

- +

合计: ¥280.15470

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DI080N03PQ
DI080N03PQ
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: 8-QFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册

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DI080N03PQ 规格参数
属性 参数值
宽(英寸) -
部件状态 可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
安装类别 表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
最大功耗 78W (Tc)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
包装/外壳 8-PowerTDFN
漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Tc)
制造厂商 德欧泰克半导体 (Diotec)
供应商设备包装 8-QFN (5x6)
导通电阻 Rds(ON) 1.9毫欧姆@20A、10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2800 pF@30 V
数据手册PDF PDF链接
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