图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 220W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) PDF数据手册 | ¥20.33806 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥203.38060 | 添加到BOM 立即询价 |
属性 | 参数值 |
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长(英寸) | - |
部件状态 | 可供货 |
场效应管类型 | n通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 4V @ 250A |
最大栅源极电压 (Vgs) | ±20V |
场效应管特性 | - |
漏源电流 (Id) @ 温度 | 120A(Tc) |
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) | 10伏 |
工作温度 | -55摄氏度~175摄氏度(TJ) |
安装类别 | 通孔 |
包装/外壳 | 至220-3 |
供应商设备包装 | TO-220AB |
最大功耗 | 220W(Tc) |
漏源电压标 (Vdss) | 80 V |
最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 6500 pF @ 25 V |
制造厂商 | 德欧泰克半导体 (Diotec) |
导通电阻 Rds(ON) | 6毫欧姆 @ 40A, 10V |
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 163 nC@10 V |
数据手册PDF | PDF链接 |