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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
  • 德欧泰克半导体 (Diotec)
封装:
  • TO-220AB
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品牌型号
描述
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DIT120N08
DIT120N08
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 220W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) PDF数据手册

¥20.33806

1000

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DIT120N08 规格参数
属性 参数值
长(英寸) -
部件状态 可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
漏源电流 (Id) @ 温度 120A(Tc)
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
安装类别 通孔
包装/外壳 至220-3
供应商设备包装 TO-220AB
最大功耗 220W(Tc)
漏源电压标 (Vdss) 80 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6500 pF @ 25 V
制造厂商 德欧泰克半导体 (Diotec)
导通电阻 Rds(ON) 6毫欧姆 @ 40A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 163 nC@10 V
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