分类:
- 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
- 达尔科技 (Diodes rporated)
封装:
- DFN2015H4-3
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 530mW (Ta) 供应商设备包装: DFN2015H4-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥3.69388 | 3065 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.69388 | 添加到BOM 立即询价 |
DMP2069UFY4-7 规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 部件状态 | 可供货 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 场效应管特性 | - |
| 工作温度 | -55摄氏度~150摄氏度（TJ） |
| 安装类别 | 表面安装 |
| 开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 1V@250A. |
| 场效应管类型 | P-通道 |
| 漏源电压标 (Vdss) | 20伏 |
| 制造厂商 | 达尔科技 (Diodes rporated) |
| 最大栅源极电压 (Vgs) | ±8V |
| 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） | 1.8伏、4.5伏 |
| 漏源电流 (Id) @ 温度 | 2.5A（Ta） |
| 导通电阻 Rds(ON) | 54毫欧姆 @ 2.5A, 4.5V |
| 包装/外壳 | 3-XFDFN |
| 最大功耗 | 530mW (Ta) |
| 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 9.1 nC @ 4.5 V |
| 最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 214 pF@10 V |
| 供应商设备包装 | DFN2015H4-3 |
| 数据手册PDF | PDF链接 |