图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册 | ¥5.08452 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.08452 | 添加到BOM 立即询价 |
属性 | 参数值 |
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宽(英寸) | - |
部件状态 | 可供货 |
安装类别 | 表面安装 |
制造厂商 | 达尔科技 (Diodes rporated) |
场效应管特性 | 逻辑电平门 |
漏源电压标 (Vdss) | 30伏 |
工作温度 | -55摄氏度~150摄氏度(TJ) |
场效应管类型 | 2个P通道(双通道) |
包装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width) |
供应商设备包装 | 8-SO |
最大功率 | 1.8W |
开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 2.1V@250A. |
漏源电流 (Id) @ 温度 | 4.4A |
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 7.8nC @ 10V |
导通电阻 Rds(ON) | 65毫欧姆 @ 5A, 10V |
最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 336皮法 @ 25V |
数据手册PDF | PDF链接 |