图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Ta) 最大功耗: 300mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册 | ¥3.11445 | 3199 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.11445 | 添加到BOM 立即询价 |
属性 | 参数值 |
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长(英寸) | - |
部件状态 | 可供货 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
最大栅源极电压 (Vgs) | ±20V |
场效应管特性 | - |
工作温度 | -55摄氏度~150摄氏度(TJ) |
安装类别 | 表面安装 |
漏源电压标 (Vdss) | 30伏 |
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) | 4.5V, 10V |
场效应管类型 | P-通道 |
供应商设备包装 | SOT-323 |
包装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
制造厂商 | 达尔科技 (Diodes rporated) |
最大功耗 | 300mW (Ta) |
开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 2.4V@250A. |
漏源电流 (Id) @ 温度 | 250毫安(Ta) |
最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 51.16 pF @ 15 V |
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 1.2 nC@10 V |
导通电阻 Rds(ON) | 2.4欧姆@500毫安,10伏 |
色彩/颜色 | - |
数据手册PDF | PDF链接 |