图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 1.55W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册 | ¥3.47659 | 3980 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.47659 | 添加到BOM 立即询价 |
属性 | 参数值 |
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长(英寸) | - |
部件状态 | 可供货 |
场效应管类型 | n通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
工作温度 | -55摄氏度~150摄氏度(TJ) |
安装类别 | 表面安装 |
漏源电压标 (Vdss) | 30伏 |
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) | 4.5V, 10V |
最大栅源极电压 (Vgs) | ±12V |
制造厂商 | 达尔科技 (Diodes rporated) |
包装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width) |
供应商设备包装 | 8-SO |
开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 2.5伏@250A. |
漏源电流 (Id) @ 温度 | 11A(Ta) |
场效应管特性 | 肖特基二极管(体) |
导通电阻 Rds(ON) | 11.9欧姆@11A,10V |
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 30.6 nC @ 10 V |
最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 1276 pF@15 V |
最大功耗 | 1.55W(Ta) |
色彩/颜色 | - |
数据手册PDF | PDF链接 |