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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
  • 达尔科技 (Diodes rporated)
封装:
  • 8-SO
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DMS3015SSS-13
DMS3015SSS-13
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 1.55W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册

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DMS3015SSS-13 规格参数
属性 参数值
长(英寸) -
部件状态 可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
安装类别 表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
供应商设备包装 8-SO
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
漏源电流 (Id) @ 温度 11A(Ta)
场效应管特性 肖特基二极管(体)
导通电阻 Rds(ON) 11.9欧姆@11A,10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30.6 nC @ 10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1276 pF@15 V
最大功耗 1.55W(Ta)
色彩/颜色 -
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