分类:
- 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
- 英飞凌 (Infineon)
封装:
- -
- D2PAK
- TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
- TO-220AB
- D?PAK (TO-263AB)
- PG-TO263-3
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥15.86195 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.86195 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥3.77790 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.77790 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A（Tc） 最大功耗: 220W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥55.07501 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.07501 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A（Tc） 最大功耗: 220W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥14.23954 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.23954 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥8.79288 | 4 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,411.63744 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A（Tc） 最大功耗: 220W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥44.25412 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.25412 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥17.88996 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.88996 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥24.11886 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.11886 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263AB) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥10.21249 | 1149 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.26037 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE PDF数据手册 | ¥10.21249 | 548 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.26037 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263AB) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥10.21249 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥102.12490 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥10.21249 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,429.74860 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥10.57463 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥507.58224 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥13.00825 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.00825 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥10.21249 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.26037 | 添加到BOM 立即询价 |
IRF1404ZSTRLPBF 规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 部件状态 | 可供货 |
| 场效应管类型 | n通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 最大栅源极电压 (Vgs) | ±20V |
| 场效应管特性 | - |
| 安装类别 | 表面安装 |
| 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） | 10伏 |
| 工作温度 | -55摄氏度~175摄氏度（TJ） |
| 包装/外壳 | 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB |
| 制造厂商 | 英飞凌 (Infineon) |
| 漏源电压标 (Vdss) | 40伏 |
| 最大功耗 | 200W（Tc） |
| 开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 4V @ 150A |
| 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 150 nC@10 V |
| 供应商设备包装 | PG-TO263-3 |
| 漏源电流 (Id) @ 温度 | 180A（Tc） |
| 导通电阻 Rds(ON) | 3.7毫欧姆 @ 75A, 10V |
| 最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 4340 pF @ 25 V |
| 材质 | 铝 |
| 数据手册PDF | PDF链接 |