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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
  • 微型商业组件 (Micro)
封装:
  • DFN5060
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MCAC25P10Y-TP
MCAC25P10Y-TP
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A 最大功耗: 88W (Tj) 供应商设备包装: DFN5060 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册

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MCAC25P10Y-TP 规格参数
属性 参数值
部件状态 可供货
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压标 (Vdss) 100伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
安装类别 表面安装
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
场效应管类型 P-通道
制造厂商 微型商业组件 (Micro)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
包装/外壳 8-PowerTDFN
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 40 nC @ 10 V
供应商设备包装 DFN5060
漏源电流 (Id) @ 温度 25A
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2100 pF@50 V
最大功耗 88W (Tj)
导通电阻 Rds(ON) 56毫欧姆 @ 15A, 10V
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