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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
  • 微型商业组件 (Micro)
封装:
  • DFN2020-6J
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MCM1216-TP
MCM1216-TP
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta)、18W(Tc) 供应商设备包装: DFN2020-6J 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册

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MCM1216-TP 规格参数
属性 参数值
部件状态 可供货
技术 MOSFET(金属氧化物)
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
安装类别 表面安装
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
场效应管类型 P-通道
漏源电压标 (Vdss) 12伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
制造厂商 微型商业组件 (Micro)
包装/外壳 6-WDFN Exposed Pad
漏源电流 (Id) @ 温度 16A(Ta)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2700 pF@10 V
供应商设备包装 DFN2020-6J
导通电阻 Rds(ON) 21毫欧姆@6.7A,4.5V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 100 nC@8 V
最大功耗 2.5W(Ta)、18W(Tc)
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