图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta)、18W(Tc) 供应商设备包装: DFN2020-6J 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册 | ¥4.56303 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.56303 | 添加到BOM 立即询价 |
属性 | 参数值 |
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部件状态 | 可供货 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
场效应管特性 | - |
工作温度 | -55摄氏度~150摄氏度(TJ) |
安装类别 | 表面安装 |
开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 1V@250A. |
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) | 2.5伏、4.5伏 |
场效应管类型 | P-通道 |
漏源电压标 (Vdss) | 12伏 |
最大栅源极电压 (Vgs) | ±8V |
制造厂商 | 微型商业组件 (Micro) |
包装/外壳 | 6-WDFN Exposed Pad |
漏源电流 (Id) @ 温度 | 16A(Ta) |
最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 2700 pF@10 V |
供应商设备包装 | DFN2020-6J |
导通电阻 Rds(ON) | 21毫欧姆@6.7A,4.5V |
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 100 nC@8 V |
最大功耗 | 2.5W(Ta)、18W(Tc) |
数据手册PDF | PDF链接 |