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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
  • 微型商业组件 (Micro)
封装:
  • 8-SOP
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MCQ05N15-TP
MCQ05N15-TP
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tj) 最大功耗: 2W 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册

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MCQ05N15-TP 规格参数
属性 参数值
长(英寸) thirty-six
宽(英寸) thirty-six
部件状态 可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
安装类别 表面安装
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
制造厂商 微型商业组件 (Micro)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22 nC@10 V
漏源电压标 (Vdss) 150伏
供应商设备包装 8-SOP
漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Tj)
最大功耗 2W
导通电阻 Rds(ON) 63毫欧姆 @ 3A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1179 pF@75 V
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