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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
  • 微型商业组件 (Micro)
封装:
  • 8-SOP
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MCQ08N06-TP
MCQ08N06-TP
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) PDF数据手册

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MCQ08N06-TP 规格参数
属性 参数值
长(英寸) -
部件状态 可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别 表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
制造厂商 微型商业组件 (Micro)
漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Ta)
供应商设备包装 8-SOP
最大功耗 1.4W(Ta)
导通电阻 Rds(ON) 19.5欧姆@10A,10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 864 pF @ 30 V
材质 -
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