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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
  • 微型商业组件 (Micro)
封装:
  • DPAK (TO-252)
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MCU30P06Y-TP
MCU30P06Y-TP
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A 最大功耗: 72W (Tj) 供应商设备包装: DPAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册

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MCU30P06Y-TP 规格参数
属性 参数值
宽(英寸) thirty-six
部件状态 可供货
技术 MOSFET(金属氧化物)
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
安装类别 表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
场效应管类型 P-通道
包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.7V@250A.
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 19.3 nC@10 V
制造厂商 微型商业组件 (Micro)
漏源电流 (Id) @ 温度 30A
导通电阻 Rds(ON) 55毫欧姆 @ 20A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1050 pF@30 V
供应商设备包装 DPAK (TO-252)
最大功耗 72W (Tj)
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