图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 75W 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) PDF数据手册 | ¥6.59104 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.59104 | 添加到BOM 立即询价 |
属性 | 参数值 |
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部件状态 | 可供货 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
场效应管特性 | - |
安装类别 | 表面安装 |
工作温度 | -55摄氏度~175摄氏度(TJ) |
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) | - |
漏源电压标 (Vdss) | 30伏 |
场效应管类型 | P-通道 |
最大栅源极电压 (Vgs) | ±25V |
包装/外壳 | TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63 |
开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 2.8V@250A. |
供应商设备包装 | D-Pak |
制造厂商 | 微型商业组件 (Micro) |
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
漏源电流 (Id) @ 温度 | 45A (Tc) |
最大功耗 | 75W |
导通电阻 Rds(ON) | 7毫欧姆 @ 20A, 20V |
最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 2152 pF@15 V |
数据手册PDF | PDF链接 |