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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
  • 微型商业组件 (Micro)
封装:
  • DPAK (TO-252)
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MCU50N03A-TP
MCU50N03A-TP
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A 最大功耗: 60W 供应商设备包装: DPAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) PDF数据手册

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MCU50N03A-TP 规格参数
属性 参数值
长(英寸) -
部件状态 可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别 表面安装
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
制造厂商 微型商业组件 (Micro)
最大功耗 60W
漏源电流 (Id) @ 温度 50A
导通电阻 Rds(ON) 7.3毫欧姆 @ 15A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23.6 nC@10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1015 pF@15 V
供应商设备包装 DPAK (TO-252)
材质 -
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