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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
  • 微型商业组件 (Micro)
封装:
  • D-Pak
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描述
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MCU60P06-TP
MCU60P06-TP
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 130W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度 PDF数据手册

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MCU60P06-TP 规格参数
属性 参数值
长(英寸) -
部件状态 可供货
技术 MOSFET(金属氧化物)
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别 表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
最大功耗 130W(Tc)
场效应管类型 P-通道
包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
供应商设备包装 D-Pak
制造厂商 微型商业组件 (Micro)
导通电阻 Rds(ON) 18毫欧姆@20A,10V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@250A.
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 75 nC @ 10 V
漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5814 pF @ 25 V
色彩/颜色 -
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