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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
  • 艾赛斯.力特 (IXYS)
封装:
  • 24-PowerSMD, 21 Leads
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MMIX1F420N10T
MMIX1F420N10T
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 334A (Tc) 最大功耗: 680W (Tc) 供应商设备包装: 24-SMPD 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) PDF数据手册

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MMIX1F420N10T 规格参数
属性 参数值
部件状态 可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压标 (Vdss) 100伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别 表面安装
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
最大功耗 680W (Tc)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 8毫安
导通电阻 Rds(ON) 2.6毫欧姆@60A,10V
供应商设备包装 24-SMPD
包装/外壳 24条PowerSMD,21条线索
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4700 pF @ 10 V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 670 nC @ 10 V
漏源电流 (Id) @ 温度 334A (Tc)
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