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分类:
  • 场效应射频晶体管
制造商:
  • 恩智浦 (NXP)
封装:
  • NI-1230
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品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
MRF8S21200HR6
MRF8S21200HR6
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 65 V 频率: 2.14GHz 输出端功率: 48W 供应商设备包装: NI-1230 PDF数据手册

¥691.84181

312

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,767.36724

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MRF8S21200HR6
MRF8S21200HR6
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 65 V 频率: 2.14GHz 输出端功率: 48W 供应商设备包装: NI-1230 PDF数据手册

¥878.47686

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥878.47686

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MRF8S21200HR6 规格参数
属性 参数值
宽(英寸) -
部件状态 可供货
制造厂商
电压检测值 28伏
噪声系数 -
额定电压 65 V
额定电流(单位:安培) -
晶体管类别 LDMOS(双)
包装/外壳 NI-1230
供应商设备包装 NI-1230
频率 2.14GHz
增益 18.1分贝
电流检测值 1.4 A
输出端功率 48W
电压 -
数据手册PDF PDF链接
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