图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 206W(Tc) 供应商设备包装: D3PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) PDF数据手册 | ¥105.45662 | 32 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥105.45662 | 添加到BOM 立即询价 |
属性 | 参数值 |
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部件状态 | 可供货 |
场效应管类型 | n通道 |
场效应管特性 | - |
安装类别 | 表面安装 |
工作温度 | -55摄氏度~175摄氏度(TJ) |
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) | 20伏 |
制造厂商 | 微芯 (Microchip) |
漏源电流 (Id) @ 温度 | 65A (Tc) |
包装/外壳 | 至268-3,DPak(2根引线+接线片),TO-268AA |
漏源电压标 (Vdss) | 700 V |
最大栅源极电压 (Vgs) | +23伏、-10伏 |
技术 | 碳化硅结型晶体管 |
导通电阻 Rds(ON) | 44毫欧姆 @ 30A, 20V |
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 99 nC @ 20 V |
最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 2010 pF@700 V |
供应商设备包装 | D3PAK |
开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 2.7V@1毫安 |
最大功耗 | 206W(Tc) |
色彩/颜色 | 蓝色 |
数据手册PDF | PDF链接 |