图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 59A (Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: D3PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) PDF数据手册 | ¥264.07613 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥264.07613 | 添加到BOM 立即询价 |
属性 | 参数值 |
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部件状态 | 可供货 |
场效应管类型 | n通道 |
场效应管特性 | - |
安装类别 | 表面安装 |
工作温度 | -55摄氏度~175摄氏度(TJ) |
技术 | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压标 (Vdss) | 1700伏 |
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) | 20伏 |
制造厂商 | 微芯 (Microchip) |
包装/外壳 | 至268-3,DPak(2根引线+接线片),TO-268AA |
漏源电流 (Id) @ 温度 | 59A (Tc) |
最大功耗 | 278W(Tc) |
最大栅源极电压 (Vgs) | +23伏、-10伏 |
供应商设备包装 | D3PAK |
导通电阻 Rds(ON) | 45毫欧姆 @ 30A, 20V |
开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 3.25V@2.5毫安(典型) |
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 178 nC@20 V |
最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 3300 pF @ 1000 V |
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