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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
  • 微芯 (Microchip)
封装:
  • TO-247-3
  • TO-247-4
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描述
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MSC060SMA070B4
MSC060SMA070B4
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A (Tc) 最大功耗: 143W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) PDF数据手册

¥65.47582

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MSC060SMA070B
MSC060SMA070B
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A (Tc) 最大功耗: 143W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) PDF数据手册

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MSC060SMA070B4 规格参数
属性 参数值
长(英寸) -
部件状态 可供货
场效应管类型 n通道
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
安装类别 通孔
技术 SiCFET(碳化硅)
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 20伏
制造厂商 微芯 (Microchip)
供应商设备包装 TO-247-4
包装/外壳 至247-4
漏源电流 (Id) @ 温度 39A (Tc)
漏源电压标 (Vdss) 700 V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@1毫安
最大功耗 143W(Tc)
最大栅源极电压 (Vgs) +23伏、-10伏
导通电阻 Rds(ON) 75毫欧姆 @ 20A, 20V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 56 nC @ 20 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1175 pF@700 V
色彩/颜色 -
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