分类:
- 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
- 微芯 (Microchip)
封装:
- D3PAK
- TO-268
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A 最大功耗: 182W（Tc） 供应商设备包装: D3PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥90.68111 | 42 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥90.68111 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 182W（Tc） 供应商设备包装: TO-268 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥24.11886 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.11886 | 添加到BOM 立即询价 |
MSC080SMA120S 规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 长（英寸） | - |
| 部件状态 | 可供货 |
| 场效应管类型 | n通道 |
| 场效应管特性 | - |
| 安装类别 | 表面安装 |
| 工作温度 | -55摄氏度~175摄氏度（TJ） |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压标 (Vdss) | 1200伏 |
| 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） | 20伏 |
| 制造厂商 | 微芯 (Microchip) |
| 开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 2.8V@1毫安 |
| 包装/外壳 | 至268-3，DPak（2根引线+接线片），TO-268AA |
| 漏源电流 (Id) @ 温度 | 35A |
| 最大栅源极电压 (Vgs) | +23伏、-10伏 |
| 导通电阻 Rds(ON) | 100毫欧姆@15A，20V |
| 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 64 nC @ 20 V |
| 最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 838 pF @ 1000 V |
| 供应商设备包装 | D3PAK |
| 最大功耗 | 182W（Tc） |
| 色彩/颜色 | - |
| 数据手册PDF | PDF链接 |