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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
  • 微芯 (Microchip)
封装:
  • SOT-227 (ISOTOP?)
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MSC100SM70JCU2
MSC100SM70JCU2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 124A(Tc) 最大功耗: 365W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227(同位素) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册

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MSC100SM70JCU2 规格参数
属性 参数值
长(英寸) -
部件状态 可供货
场效应管类型 n通道
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
技术 SiCFET(碳化硅)
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 20伏
制造厂商 微芯 (Microchip)
安装类别 机箱安装
包装/外壳 SOT-227-4,迷你超直瞄
漏源电压标 (Vdss) 700 V
导通电阻 Rds(ON) 19毫欧姆@40A,20V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 215 nC@20 V
最大栅源极电压 (Vgs) +25伏、-10伏
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4500 pF @ 700 V
供应商设备包装 SOT-227(同位素)
最大功耗 365W (Tc)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@4毫安
漏源电流 (Id) @ 温度 124A(Tc)
材质 -
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