图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 245W(Tc) 供应商设备包装: SOT-227(同位素) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册 | ¥345.26904 | 18 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥345.26904 | 添加到BOM 立即询价 |
属性 | 参数值 |
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长(英寸) | - |
部件状态 | 可供货 |
场效应管类型 | n通道 |
场效应管特性 | - |
工作温度 | -55摄氏度~150摄氏度(TJ) |
技术 | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压标 (Vdss) | 1200伏 |
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) | 20伏 |
漏源电流 (Id) @ 温度 | 55A (Tc) |
制造厂商 | 微芯 (Microchip) |
安装类别 | 机箱安装 |
包装/外壳 | SOT-227-4,迷你超直瞄 |
最大栅源极电压 (Vgs) | +25伏、-10伏 |
供应商设备包装 | SOT-227(同位素) |
最大功耗 | 245W(Tc) |
导通电阻 Rds(ON) | 50毫欧姆 @ 40A, 20V |
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 137 nC @ 20 V |
最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 1990 pF@1000 V |
开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 2.7V@1毫安 |
色彩/颜色 | - |
数据手册PDF | PDF链接 |