分类:
- 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
- 安盛美 (onsemi)
封装:
- -
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | N-CHANNEL POWER MOSFET PDF数据手册 | ¥0.86915 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,116.38025 | 添加到BOM 立即询价 |
MTD4N20E1 规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 宽（英寸） | thirty-six |
| 制造厂商 | 安盛美 (onsemi) |
| 部件状态 | 可供货 |
| 场效应管特性 | - |
| 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） | - |
| 开启电压 (Vgs(th) @ ld) | - |
| 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | - |
| 技术 | - |
| 场效应管类型 | - |
| 漏源电压标 (Vdss) | - |
| 导通电阻 Rds(ON) | - |
| 最大栅源极电压 (Vgs) | - |
| 最大输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 最大功耗 | - |
| 工作温度 | - |
| 安装类别 | - |
| 供应商设备包装 | - |
| 包装/外壳 | - |
| 漏源电流 (Id) @ 温度 | - |
| 数据手册PDF | PDF链接 |