分立半导体产品包括单个晶体管、二极管和晶闸管,以及由单个封装内的两个、三个、四个或其他少量类似器件组成的小型阵列。最常见且广为人知的是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们通常用于构建具有相当大电压或电流应力的电路,或用于实现非常基本的电路功能。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 17 A 最大功率: 70 W 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥22.77397 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥22.77397 | 立即购买 加入购物车 | ||
集电极击穿电压: 435伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.10725 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.10725 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 3.2 A 最大功率: 28 W 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥44.22515 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.22515 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,122.50464 | 18 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,245.00928 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 34 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥43.66310 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.66310 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 7 A 最大功率: 24瓦 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.35735 | 49 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.35735 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 9.6 A 最大功率: 62.5 W 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.15647 | 33635 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 430伏 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 130瓦 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥48.94819 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.94819 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 214 W 供应商设备包装: TO-263(D2Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥17.60025 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.60025 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 210 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,687.30598 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,873.05984 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 8 A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥78.58706 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.58706 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 390伏 最大集电极电流 (Ic): 46A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥24.68380 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.68380 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 450伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥21.41826 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥21.41826 | 立即购买 加入购物车 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 675 A 最大功率: 2250瓦 供应商设备包装: AG-ECONOD | ¥1,691.21715 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,912.17150 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 12A 最大功率: 100瓦 供应商设备包装: PG-TO251-3 | ¥240.61976 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥240.61976 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 390伏 最大集电极电流 (Ic): 46A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-262AA 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥36.73599 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.73599 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 12A 最大功率: 24.2 W 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.08164 | 84 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.08164 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 375 A 最大功率: 1800瓦 供应商设备包装: AG-ECONOD | ¥1,691.21715 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,912.17150 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥17.60025 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.60025 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥194.26906 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥194.26906 | 添加到BOM 立即询价 |